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晶体管类型：PNP集射极击穿电压(Vceo)：60V集电极电流(Ic)：600mA功率(Pd)：250mW集电极截止电流(Icbo)：20nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：1.6V@500mA,50mA直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,10V特征频率(fT)：200MHz工作温度：+150℃@(Tj)
晶体管类型：PNP
集射极击穿电压(Vceo)：60V
集电极电流(Ic)：600mA
功率(Pd)：250mW
集电极截止电流(Icbo)：20nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：1.6V@500mA,50mA
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,10V
特征频率(fT)：200MHz
工作温度：+150℃@(Tj)
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