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<tr id='9sR59H'><strong id='9sR59H'></strong><small id='9sR59H'></small><button id='9sR59H'></button><li id='9sR59H'><noscript id='9sR59H'><big id='9sR59H'></big><dt id='9sR59H'></dt></noscript></li></tr><ol id='9sR59H'><option id='9sR59H'><table id='9sR59H'><blockquote id='9sR59H'><tbody id='9sR59H'></tbody></blockquote></table></option></ol><u id='9sR59H'></u><kbd id='9sR59H'><kbd id='9sR59H'></kbd></kbd>
晶体管类型：PNP集射极击穿电压(Vceo)：25V集电极电流(Ic)：500mA功率(Pd)：300mW集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA直】流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@50mA,1V特征频率(fT)：150MHz工作温度：+150℃@(Tj)
晶体管类型：PNP
集射极击穿电压(Vceo)：25V
集电极电流(Ic)：500mA
功率(Pd)：300mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA
直】流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@50mA,1V
特征频率(fT)：150MHz
工作温度：+150℃@(Tj)
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